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Q：回顾过去几个存储周期情况？价格波动变化？

A：2012 年之前 DRAM 存储原厂巨头还很多，12 年整合之后就剩下 3 大巨头。以 1Gb 价格来看，12Q1 单价 1 美金，Q1 一个季度持平之后，掉到 13Q1 为 0.8 美金。随后半年时间上到 0.97 美金，此后 13Q1-15Q1 横盘。15Q1 之后价格下跌到 17Q1，2 年时间下跌 50%，单价下降到 0.5 美金。17Q1 此后到 18Q3，价格上涨了大概 95%，单价到 1 美金左右。18Q3到 20Q1 价格出现下跌，这次幅度比较深，单价下降到 0.4 美金。20Q1 单价之后在 0.4 左右小幅波动，20Q2 底到 21 年中上升到 0.55 美金，随后到 22Q1 开始有一个小幅下跌，22年 6 月份之后价格急剧下滑，每个季度环比下降很多，DRAM 每季度环比下降 20%-30%，NAND 下降更深。23 年 3 月底下降到 0.24 美金，下降周期快一年，下降了 60%。

目前 23Q2 来看，Q2 总体平均水平下降了一点，DRAM 在 5%，NAND 在 8%，幅度远远低于 Q1 环比幅度（Q1 是 20 多个点）。

细分产品价格：往前看 3 个季度，所有产品都在下跌，现在 Q2 来看有些产品价格出现上扬。

1）AI 的 HBM 产品，上扬幅度比较多；2）服务器上的 DDR 内存条，小几个点的涨幅；3）手机大容量 LP5 也有一定幅度上扬。这三类产品需求好于预期，供应情况有一些不足。其他产品还是保持之前态势，有一些下跌。

从时间维度上，这次下跌周期跟以前最长时间比差不多了，以前最长下降是 16Q2 到18Q1 经历了一年半时间。

往后前，要看 23Q3 的需求，虽然 Q2 有一些价格异动，但要看价格是否具备持续性。关键是目前在跌价的产品 Q3 需求是否好转，这部分产品现在看 Q3 需求还是有很大不确定性，Q3 总体走势可能是降幅再缩小一点，也有可能持平（但可能性估计不是很大）。随着需求恢复，终端客户库存水位下降，减产，Q4 恢复的可能性最大。

Q：几家大厂减产的情况？

A：有一些原厂比如铠侠 西部数据在 22Q4 就减产，今年平均下降 30%产能，NAND 供应会缩小很多。美光在 22Q4 小幅下降，今年年度产能估计下降 35%左右。海力士今年开始下降，下降幅度估计在 20%-30%。三星以前比较坚挺，4 月财报出来后公布减产，这是这么多年来第一次公布减产，以前都是逆周期扩产，估计年度减产规模在 20%-30%。

估计全行业今年产能平均下降 25%。NAND 全行业估计在 20%-30%。

产能下降不会马上体现出来，一般从决定下降到看到产品没有生产需要半年才能体现出来，芯片完整的生产周期要半年时间。

Q：三星减产的影响要到 Q3 才能体现出来？

A：差不多 Q3 底。其他几家差不多已经体现了。

Q：DRAM 方面，美光、海力士减产什么时候体现出来？

A：美光在 22Q4 就已经开始减产，现在已经体现出来了。海力士是 Q1 开始，差不多 Q2底 Q3 初陆续体现出来。

Q：NAND 方面，几家厂商减产什么时候体现？

A：NAND 方面，铠侠和西部数据 22Q4 公布要减产，23Q2 就能看到出来的东西少了。美光、三星的时间点跟前面讲的一样。

Q：各个厂商减产的片数？对格局的影响？

A：现在减产的比重都差不多，20%-30%。对全球格局来看没太大的影响。全年来看，三星DRAM 还是在 46%左右，海力士在 28%，美光在 21%。

NAND 方面，预计全球格局还是维持之前差不多水平，三星 28%，美光 10%，西部数据+铠侠 21%（两家 fab 厂共用），海力士+intel 的 Solidigm 19%左右。

Q：需求端，今年下半年还有明年需求展望？

A：服务器，全行业 DRAM 占比 38%。去年整体上美国需求还不算差，今年看起来美国需求偏差。国内去年服务器 ODM 还可以，但互联网公司国内两极分化，最大的某家互联网公司需求还是比较强劲，其他互联网公司服务器需求比较差。总体上，今年服务器整机出货量可能是持平状态，但单机容量上升，对 NAND 是正增长的影响。普通服务器的单机容量每年是递增的。AI 服务器也在拉动市场需求，AI 对 DRAM 需求在持续增加，美国比较早就有AI 需求，中国 Q2 才小批量拉货，明年增长会更大。普通服务器现在用 DDR4 和 DDR5 内存条，DDR5 目前 Q1 底渗透率 3%-5%，预计年底到 20%，DDR5 现在 Q2 的需求好于预期，之前 DDR5 原厂的备货没那么多，DDR5 有些原厂 PMIC 匹配度有点问题，DDR5 在Q3 Q4 需求还在扩大。DDR4 目前代理商、原厂库存水位还比较高，Q3 要恢复需求还比较难，Q4 也可能有点难度。AI 服务器 HBM 存储今年需求会比去年多非常多，HBM 需求下半年会比上半年多很多。

手机，手机 DRAM 占比 32%。今年整机出货量可能还是负增长，但是单机容量DRAMNAND 还是持续上涨趋势，Q2 来看单机容量上升速度非常快，Q1 手机在高容量产品 12G 16G 的销量比 22Q4 增长 100%-300%，大容量产品需求在 Q2 表现比较着急。LP5需要用到最新制程 1α，这个工艺各大原厂准备不多，今年行业平均资本开支下降 45%，对新制程产能拓展有限制，LP5 需求还会往高容量转，24G 下半年有些客户的机型会发布。NAND 在手机内提升也比较大，现在很多 512G、1T。DRAM 现在每 Gb 的 ASP 是 10 多年来的新低，手机厂家愿意去推大容量产品，客户体验比较好。

PC，今年整机出货量还是下跌，行业库存总体还是偏高，虽然单机容量会提升，但不会太大，PC 今年对内存的需求还是疲软。

其他消费电子，电视机、机顶盒、智能音箱等，这类产品市场比较偏饱和，下半年市场需求要增长也很难，但是也不会下降很多，单机容量也在提升，但提升幅度很小。

汽车电子，需求比较好，现在汽车需要更多部件用到 DRAM 和 NAND。以前主要是中控和仪表用，而且是小容量的。现在 ADAS，特别是 L3L3.5 用的 DRAM 和 NAND 翻了好几倍，域控制也会用。现在传统机型主要是 DRAM 4G DDR3，NAND 8G16G EMC，去年开始主流转变为 LPDDR4 8G163264，LP 一个系统里基本搭配 2 片，EMC 往高容量163264 走。明年下半年会看到有些车型用 LP5，用在智能座舱或者自动驾驶，LP5 最小64G，容量更大，NAND 会从 128G 起步。未来 2-3 年一辆汽车的容量一部手机+一台小型服务器的容量。

Q：二季度现在各个品类的价格变化情况？

A：HBM 估计有 15%，DDR5 内存条 3-5%，服务器里 DDR4 估计还是会下跌 5%左右。手机类 LP5 预期 3-5%涨幅，手机现在最多还是 LP4 的产品，LP4 价格预计下探 5%。电视机顶盒用 DDR3DDR4，Q2 环比下降 10%左右。汽车电子比较稳定，一般年度或者半年度定价。3D NAND 季度平均下跌 5-8%。

Q：如何看待最近长存涨价？

A：真实性还有待观察和核实。现在行业内 NAND 亏损比 DRAM 还严重，各大厂家都不愿意去降价，亏不了了。

Q：下半年需求起来，产能利用率也起来，价格还会有上涨的可能性吗？

A：各家产能利用率受他们自己控制。价格即使在 Q3Q4 上涨一点，也是严重亏损的价钱。如果上调稼动率，一般半年后才会反映过来。

Q：价格涨多少后，他们才会提升稼动率？

A：不好说，每个原厂有自己的意愿。现在行业 OPM 毛利率亏损大概在 40%-50%。

Q：行业下半年价格涨价概率很大？

A：看下半年需求。如果需求好，估计价格会好一点。如果 Q3-Q4 需求还是很疲软，价格就很难上去。

Q：长鑫产品的竞争力？应用的领域、客户和市场导入情况？

A：长鑫主要的产品还是 DDR3 和 DDR4，和一部分 LPDDR4。DDR3/DDR4 用在电视机顶盒和一些网络设备。LP4 他是小容量的，用在中低端手机产品上。

产能上，长鑫比三大家的还是少一点。长鑫客户端价格还是比较有竞争力，比其他供应商便宜比较小的几个点。

Q：长鑫的市场份额有在快速提升吗？

A：市场份额可能没有太大变化，因为产能摆在那里。各大原厂产能下降前，长鑫 DRAM市场份额在全球占 2%左右。

价格的下降对他市场份额的提升没有对等关系，因为各家产能摆在那里。

Q：现在各家的稼动率比较低？

A：大家都有点下修。原本产能没有下降前，长鑫份额在 2%+，下修后他的全球市场份额可能就稍微高一点。

Q：减产后，各家的产能利用率水平？这种产能利用率在什么情况下才能赚钱？

A：下降后，DRAM 平均产能利用率 67%-68%，接近 70%。NAND 在 62%-63%。

Q：减产是怎么减少到 20%-30%？时间表？

A：Q2 开始每个季度有 5%-10%慢慢减下去。

Q：Q2 目前的产能利用率水平？

A：Q2 估计各家在 70%+。三星减产动作慢一点，产能利用率可能高一点。

Q：DDR5 PMIC 问题从技术上好解决吗？

A：通过不断调试，一致性问题是可以解决的。PMIC 对行业只是短期影响。

Q：DDR5 现在在服务器和 PC 的库存水平？

A：都是比较低的水位。

DDR5 渗透率要上去,PMIC 是小问题，更大的是 intel 新平台要大面积铺开。

Q：长鑫目前产能利用率？Bloomberg 上说长鑫准备上市，现在是什么进度？

A：长鑫有没有减产不了解。长鑫上市不了解。

Q：HBM 的市场空间？

A：HBM 在整个 DRAM 占比 5%-6%，今年这个比重还会增加。HBM3 去年 6 月份才出来，HBM3 现在需求很旺盛。

Q：HBM 需求快速迭代，会不会把澜起做的 MC 芯片市场空间替代？

A：CL 跟 HBM 是两种不同类型的产品，HBM 是搭配 GPU，CL 是给 CPU 用的，给 CPU做内存池。HBM 很早就有。CPU 现在用的内存条，明年开始会有 CL 内存卡形式，目前行业内各个原厂制定 CL 协议，现在的 CPU 跟内存条之前有速度瓶颈，内存池把瓶颈打破，CPU 可以直接跟 CL、内存条沟通，CL 是内存条的一个补充，内存共享。

Q：MC 芯片未来需求？

A：这种卡是为了扩容、增速，扩大服务器单机容量，现在每台服务器内插几条是一定的，每条的容量也是一定的。而通过加 CL 卡就能增加服务器的容量。未来在大数据和云计算是有一定需求的。

Q：利基存储和大宗存储的价格涨跌关系？有先后关系吗？

A：利基比服务器、手机等盘子更小一点，灵活的更高一点，各种产品大的步调是差不多的，

利基产品比其他更加活跃一点。

Q：利基 DRAM 和大宗 DRAM 在历史上涨价幅度的先后？涨价幅度？

A：没有绝对的关系，有时候快，有时慢，主要看终端需求。如果电视机顶盒等市场比其他更好一点，利基产品可能就比其他的更早上去，跑在前面。如果大的市场环境不好，利基产品也会最快掉下来。

Q：几家大厂技术升级趋势？未来资本开支重点投向哪些方向？

A：DRAM 现在主流量产制程在 1α，1β研发上已经准备好了，但不会那么快切入量产，跟行业需求和资本开支计划有很大关系。现在看 1β量产时间点估计会推迟。

NAND 现在主流是 176、128 层，176 层的供应如果没有这波深度调整今年应该会大批量供应，现在 128 层供应更多一点，后续 176 层会慢慢提升产能，但速度估计不会很快，要看资本开支。

Q：技术迭代升级时会影响原有产能吗？

A：DRAM 和 NAND 一样，会有一定比例的损失，切向新制程的时候，新制程产线良率是慢慢提升的。

Q：他们会在现在行业比较弱的时候去切换制程节点吗？

A：现在不会很积极去推动新制程迭代。新制程迭代以前 1-2 年迭代，现在 2-3 年才迭代。今年全行业资本开支砍了很多，新制程切换需要购买很多仪器和设备。

Q：几家大厂现在还会对利基存储有投入吗？

A：目前旧制程不太会扩大，主要是维系、保留。后面扩产主要是在新制程。

Q：几家大厂对汽车市场投入的规划？

A：三大厂 DRAM 和 NAND 在汽车上都有很成熟的产品，汽车要求长期的供应，三大厂的DDR3 LPDDR4 或者 EMC 都是长期供应的状况，会保留一部分产能给汽车做长期供应。

Q：CL 芯片今年出货预期？

A：今年估计是在样品阶段，量产应该在明年。

Q：CL 接口芯片除了澜起以外，其他家能供应吗？

A：应该是有的。

Q：现在 AI 服务器对以后 CL 芯片的需求拉动？

A：CL 主要应用不是在速度更快，主要应用在容量更大，AI 里面有一部分产品用 CL 更好。AI 里面更多需要更大的算力，而不是容量更大。CL 一方面是提升整机容量，另一方面是打通内存池，使得 CL 卡和内存条成为一个整体，CPU 工作效率更高。

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